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    igbt

    发布时间:2022-05-11 浏览次数:88


    NPN NPN、PNP PNP、NPN PNP、PNP NPNigbt理想电路

    在门极-发射极之间增加正电压p 基极层形成沟,进入导通状态,功率MOSFET导通时,pnp 晶体管的基极-集电极连接到低电阻,从而使pnp晶体管处于导通状态。

    此后,门极-发射极之间的电压为0V ,*功率MOSFET 断路,pnp 晶体管的基极电流被切断,从而断路。


    功率MOSFET正电压是通过在门极上加正电压制成的p基极层形成沟,进入导通状态。

    此时,由于n发射极(源极)层和n基极层以沟通为媒介,MOSFET在漏极-源极之间形成一半导体(如图所示1-1中的n型)。

    它的电特性变成了简单的电阻。电阻越低,通态电压越低。然而,在MOSFET进行耐高压化的同时,n基极层需要加厚,(n基极层的作用是保持泄漏电极-源极之间的额外电压。因此,需要维护的电压越高,层就越厚。)元件的耐压性越高,泄漏电极-源极之间的电阻就越大。因此,高耐压功率MOSFET通态电阻变大,大量电流无法顺利通过,因此很难实现大容量化。

    针对这一点,IG中因追加p 层,所以从漏极的角度来看,它和n构成基极层之间pn二极管。由于二极管的作用,n电导率调制基极,使通态电阻降低到几乎可以忽略的值。IG与MOSFET它可以更容易地实现大容量化。

    igbt实际等效电路

    基极-极间电阻发射,防止电栓锁

    **较大额定值(Absolute Maximum Ratings)


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