IG基本工作原理及IG的作用是什么?

电子提供功率MOSFET分析型号选型及应用问题AC-DC,DC-DC电源IC推荐方案型号---IG基本工作原理及IG它的作用是什么？

答：IG的工作原理

IG由栅极（G）、发射极（E）和集电极（C）三极控制。如图1所示，IG开关的功能是通过增加正向栅极电压形成通道PNP晶体管提供基极电流IG相反，添加反向门极电压消除通道，切断基极电流IG关闭。从图2可以看出，如果是IG驱动正电压加在栅极和发射极之间，MOSFET导通，这样PNP如果晶体管的集电极与基极之间存在低阻状态，晶体管就会导致；IG格栅极与发射极之间的电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供应使晶体管截止。

图1 IG 结构图

图2 IG电气符号(左)和等效电路图(右)

如果IG栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低IG工作不稳定，如果过高甚至超过栅极-发射极之间的耐压性，IG可能*损坏。同样，如果IG如果集电极和发射极之间的电压超过允许值，则流过IG电流会超限，导致IG此时，结温超过允许值IG也可能*损坏。

IG这种晶体设计是一种功率晶体管UPS能有效提高产品效率，使电源质量好、效率高、热损失少，噪音低，体积小，产品寿命长。

IG主要用于变频器逆变器和其他逆变器电路。将直流电压逆变为频率可调的交流电。它有阴极、阳极和控制极。关闭时，其阻抗非常大，基本上是断路。连接时电阻很小。阴极和阳极之间的连接和关闭可以通过连接或断开控制极来控制。

1.安全工作区

在安全方面，主要是指电的特性，除了传统的变压电流外，还有RBSOA(反向偏置安全工作区)和短路保护。这是开关时的波形，是开关时的相关定义。我们在设计过程中需要结温。比如长期工作一定要保证温度在安全结温之内，这个保证的前提是需要提供与这个模块相关的应用参数。这样结合这个参数，结合选择IG计算产品功耗和结温的芯片，以及包装和电流，是否满足安全结温的需要。

2.热限制

热限制是我们的脉冲功率，时间相对较短，它可能不是一个长期的工作点，可能会突然增加，这次涉及另一个指标，动态热阻，我们称之为热阻抗。这种波动会直接影响IG可靠性是寿命问题。你可以看到50赫兹波动很小，寿命很长。

3.包装要求

包装要求主要体现在外部包装材料上。事实上，在结构上，它也与包装有关，因为在设计过程中会出现布局和结构问题，不同的设计差异很大。

4.可靠性要求

可靠性问题，刚才说到温度波动，较担心的是温度波动，会影响绑定线和硅片之间的焊接，很长一段时间，两种材料之间的热阻力系数不同，所以在温度波动中，如果过程不好，会出现裂缝甚至断裂，从而影响保护压降，进一步导致IC失效。二是热循环，主要体现在硅片和硅片上DCB这种材料之间的它们之间的差异。如果故障，它将被分层，材料和材料之间的特性将变成这种情况，这种故障是显而易见的。

1、IG选择额定电压

三相380V经过整流和滤波后，直流母线电压的较大值：在开关工作条件下，IG根据IG选择规格的电压等级1200V电压等级的IG。

2、IG选择额定电流

以30kW以变频器为例，负载电流约为79A，当负载电气启动或加速时，电流过载通常需要1分钟才能承受1.5倍过流，较大负载电流约为119A ，建议选择150A电流等级的IG。

3、IG选择开关参数

变频器的开关频率一般小于10kHZ，在实际工作过程中，IG建议选择低通态型IG。

1)格栅电压

IG工作时必须有正格栅电压，常用的格栅驱动电压值为15～187，较高用到20V，棚电压和栅极电阻Rg在设计中有很大的关系IG驱动电路时，请参考IG Datasheet中的额定Rg设计合适的驱动参数，以确保合理的正格栅电压。IG工作状态与正棚电压密切相关。正栅电压越高，开启损耗越小，正压降越小。

2）Miller效应

减少Miller在IG改进措施用于开启和关闭栅驱动电路Rg，ON和Rg，off，确保IG有效的开关；(2)在栅源间加电容c，对Miller能量释放效应产生的电压；(3)关闭时加负栅压。在实际设计中，采用三者的合理组合来改进Mille r效果更好。

(1)操作时佩戴防静电手镯；

(2)尽量不要用手触摸驱动端子。当必须触摸模块端子时，在触摸之前，用大电阻将人体或衣服上的静电接地放电；

（3）IG模块驱动端子上的黑色海绵是一种防静电材料，用户取下防静电材料，立即插入导线；

(4)焊接时，设备容易产生静电压。为防止静电，请先将设备接地良好。

一般保存IG模块应保持常温和湿度，不应偏离过大。常温的规定是5℃～35℃，常湿的规定为45%～75%。在冬季特别干燥的地区，需要加湿器加湿。

2.尽量远离腐蚀性气体或灰尘较多的场合。

3.在温度急剧变化的地方IG因此，模块表面可能有结露水IG模块应放置在温度变化较小的地方。

4、IG模块在未投入生产时不要 放置，防止端子氧化。